POLSKIE SCALONE PAMIĘCI PÓŁPRZEWODNIKOWE


Na tej podstronie zebrano polskie pamięci półprzewodnikowe (Serii MCY), produkowane niegdyś przez CEMI.

UKŁAD MCY7102


Statyczna pamięć RAM o organizacji 1x1024 bity. Obudowa CE71. Układ spotykany w czterech wersjach o różnym czasie dostępu. A- najszybsza-250 ns, B-350 ns, C-450ns, D- najwolniejsza-600ns.Moc tracona była dość znaczna (1W).

UKŁAD MCY71C03


Statyczna pamięć RAM 1024 bity. Obudowa CE71.Pamięć o niskim zużyciu energii, wykonana w technologii CMOS z bramką aluminiową. Długi czas cyku odczytu i cyklu zapisu (1000ns).Spotykana bardzo rzadko.

UKŁAD MCY7114


Statyczna pamięć RAM o organizacji 4x1024 bity. Obudowa CE81.Bywała segregowana na trzy grupy, o różnym czasie dostępu. A- 200ns, B-300ns, C-450ns.Moc tracona była dość znaczna (1W).

UKŁAD MCY7161


Dynamiczna pamięć RAM o organizacji 1x16384 bity. Obudowa CE71.Według dostępnych danych katalogowych bywała segregowana na pięć grup, o różnym czasie dostępu. MCY7161N100- 100ns,MCY7161N120-120ns ,MCY7161N150- 150ns,MCY7161N200-200ns, MCY7161N250-250ns. Odświeżanie było konieczne co 2ms. Moc tracona była dość znaczna (1W). Nie spotkałem się z nią nigdy w rzeczywistości. Poszukiwana do kolekcji!

UKŁAD MCY7304


Statyczna pamięć ROM o organizacji 8x512 bitów. Obudowa CE73.Wystepowała w kilku grupach, w zależności od tego, co było zaprogramowane maską. W wersji MCY7304AA były to wielkie litery alfabetu łacińskiego, cyfry, znaki przystankowe i kilka symboli, jak np.+,-. W wersji MCY7304AB zaprogramowane były litery ze znakami diakrytycznymi (polskie) i część alfabetu rosyjskiego. W wersji MCY7304AC zaprogramowana była część alfabetu rosyjskiego, cyfry i znaki. W wersji MCY7304AJ zawierała duże i małe litery rosyjskie kodu ASCII.Czas dostępu wynosił 450 ns. Zawartość układu tej serii- MCY7304GR nie jest znana. Możliwe, że zawiera znaki alfabetu greckiego. Uwaga: poszukiwana jest do kolekcji pamięć MCY7304AC oraz inne, które są ewentualnie tu nieuwzględnione. Moc tracona wynosiła 1W.Cykl odczytu przy pracy synchronicznej 700ns, przy pracy asynchronicznej zaś 500ns.

UKŁAD MCY7316


Statyczna pamięć ROM o organizacji 8x2048 bitów. Obudowa CE73.Wystepowała w kilku grupach, w zależności od tego, co było zaprogramowane maską. Zawartość układów tej seriinie jest znana. Prawdopodobnie były to tablice znaków. Uwaga: Poszukiwane są do kolekcji inne wersje niż MCY7316AB. Moc tracona wynosiła 1W.Czas dostępu do 450 ns.

UKŁAD MCY7716


Pamięć EPROM. Kasowana ultrafioletem, programowana elektrycznie. Obecnie bardzo rzadko spotykana- prawdopodobnie większość egzemplarzy poddano kasacji, odzyskując przy tym złoto. Organizacja 2048 komórek, zawierających słowa 8-bitowe, tj. 8x2048 bitów. Wyprowadzenia są zgodne z układem MCY7316 (obudowa CE73). Według intencji producenta miało to służyć wygodnemu przejściu z fazy projektowania do produkcji (układy MCY7316 programowane maską u producenta).Czas odczytu dochodził do 450 ns. Czas programowania był dłuższy- uwzględniając wszystkie "zachcianki" pamięci wynosił ponad 50 ms.

Powrót do strony głównej


Powrót do "Polskie elementy półprzewodnikowe"